一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate栅极；S：source源极；D：drain漏极。MOS管的source（源极）和drain（漏极）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。 mos管是mosfet的简称，它是一种具有放大作用的场效应晶体管。在集成电路（ic）中，mos管作为输入、输出极之一，与三极管组成一个完整的放大电路。其作用是把从外界输入的电信号转换成与之相适应的具有一定功率输出的电信号的器件。mos管的种类很多：按结构可分为双极型mos管和单极型（bjt）mos管；按导电类型分为n沟道增强型（gtr）、p-沟道增强型和耗尽层氧化型（dvdss）；按栅介质材料又可以分为硅栅和锗栅两种；按工艺不同还可以分为sip、sop和nm等几种不同的生产工艺。其中前三种属于同一类
